MOSFET制造工艺跟其他集成电路的芯片制造工艺大同小异、在晶圆制造的基础上、首先那就是要有人们常说的光。
那么你知道这无形的光是如何制作出一枚精致小巧的芯片吗？而它又是如何通过这光刻机制作出来的？
这次让我们来讲解一下。在芯片制造前道工艺中重要环节——光刻技术。
首先我们需要知道半导体制造的三大核心工艺是光刻、等离子刻蚀和气相薄膜沉积，其中光刻的主要作用是将印制于掩膜板上的电路图复制到衬底晶圆颗粒上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。
所谓光刻技术，顾名思义是用光这一介质来进行雕刻技术。光在其中起到重要作用的最大原因是因为它的速度够快。对于制造芯片的厂家而言，极高的速度才能获得对应技术的要求和产能。而用来驾驭光 进而刻制出芯片的重要载体，就是光掩模、光刻机与光刻胶。
什么是光掩模？
光掩模是用于LSI等集成电路制造工序的重要器件。在透明玻璃板表面的遮光膜上蚀刻加工了非常微细的电路图案，成为对硅晶圆复刻电路时的原版。将光掩模上的图案缩小投射到硅晶圆上，形成微细的图案。
光刻机又名掩膜对准曝光机，通过名称我们可以简单理解到它与光掩模存在相关联系。
没错，光刻机的工作原理是通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
关于光刻胶
光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体，通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射后，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，可在光刻工艺过程中起到抗腐蚀涂层材料的作用。
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简单解释，光刻胶就是能把光影化转化成实际电路。光照后产生疲软会形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后产生疲软，继而变成可溶物质的即为正性胶。
那我们是如何利用光刻技术制造出芯片的呢？下图为大家展示光刻芯片的步骤：
在完成以上步骤以后，就可以进行下一阶段的步骤，即气相刻蚀和气相沉积。刻蚀与沉积都是芯片制造过程中的重要工序，这两块会在后续为大家进行详细讲解。
因此，通过上面的步骤我们可以了解到，光刻在狭义上刻的并不是硅片，而是硅片上的这一层光刻胶。通过刻制好的光刻胶，再进行下一步的刻蚀与沉积，才能对硅片进行刻制与后道工艺的加工。
每一次的刻蚀、沉积与离子注入步骤前，都需要进行光刻步骤，所以，光刻是芯片制造中一切工序的根基，它占据着整套工序大部分时间和成本。
总而言之，用光刻机制造出芯片，是一个高度精密的工艺过程。它需要严密的技术操作和专业设备的支持。光刻技术是促进集成电路及相关产业发展的关键工艺，光刻技术的叠代升级大大提高了芯片的计算速度和存储量,在工业控制、航空航天、国防科技、新能源、智慧城市等重要技术领域、得到广泛的应用。
我们要相信，只要成功掌握了方法和技术，制造出高质量的芯片将不再是难以实现的事情。
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